Московское "Динамо" чуть не проиграло "Ахмату" в 12-м туре чемпионата России по футболу

Сегодня, в воскресенье, тремя матчами завершился 12-й тур чемпионата страны по футболу в Российской премьер-лиге

День народного единства: шесть дней – рабочих, три – выходных

После рабочей субботы последуют длинные трехдневные выходные, приуроченные ко Дню народного единства. Они продлятся со 2 по 4 ноября

Гидрометцентр: погода в России со второй половины октября: предзимье

"Наступает тот период, который называется очень красиво – предзимье. Традиционно, с середины октября до 15-20 декабря существует такой период. Это как бы подготовка к зимней циркуляции, к зимнему режиму", – добавил синоптик

Первый этап Гран-при России по фигурному катанию: Магнитогорск, 25-26 октября. Участники, расписание

Двукратная чемпионка России по фигурному катанию Аделия Петросян, квалифицировавшаяся на Олимпийские игры, выступит на первом этапе серии Гран-при России

Прогноз магнитных бурь на октябрь 2025 года

Это природное явление может оказывать влияние на радиосвязь, спутники, навигацию, вызывать колебания напряжения в энергосетях и ухудшать самочувствие метеочувствительных людей

ИСККРА представляет календарь праздничных и памятных дней на октябрь 2025 года

23 – День разгрома немецко-фашистских войск в Заполярье

Президенту Российской академии наук Геннадию Красникову присвоено звание Героя Труда

Президент России Владимир Путин присвоил звание Героя Труда РФ президенту РАН Геннадию Красникову, соответствующий указ размещен на сайте официального опубликования правовых актов.

За особые заслуги перед государством и выдающийся вклад в развитие отечественной науки присвоить звание Героя Труда России президенту Российской академии наук Красникову Геннадию Яковлевичу, говорится в документе.

Российский ученый в области микро- и наноэлектроники, академик РАН Геннадий Яковлевич Красников родился 30 апреля 1958 года в Тамбове.

Геннадий Красников – крупный ученый с мировым именем в области физики полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе, технологий создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечения качества их разработки и промышленного производства. Им созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем.

Автор более 460 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 50 авторских свидетельств и патентов.

Награжден орденами Почета (1999), "За заслуги перед Отечеством" IV степени (2008), Дружбы (2014), Александра Невского (2018) и другими наградами.

 

 


Назад